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文献
J-GLOBAL ID：201702220016641827
整理番号：17A0279998
Fe変調ドープと無作為にドープされたGaNバッファを持つサファイア上に成長させたGaN/AlGaN/AlN/GaNH EMTの比較:材料成長と素子作製【Powered by NICT】
Comparison of GaN/AlGaN/AIN/GaN HEMTs Grown on Sapphire with Fe-Modulation-Doped and Unintentionally Doped GaN Buffer: Material Growth and Device Fabrication
Gong Jiamin
(School of Electronic Engineering,Xi’an University of Posts and Telecommunications)
,
Wang Quan
(School of Electronic Engineering,Xi’an University of Posts and Telecommunications)
,
Yan Junda
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Fengqi
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Feng Chun
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Xiaoliang
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Zhanguo
(Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 11 ページ： 117303-1-117303-5 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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