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文献
J-GLOBAL ID：201702220038873072
整理番号：17A1557644
リンδドープした隣接閉じ込め構造を有するGe量子ドットからの発光増強【Powered by NICT】
Light emission enhancement from Ge quantum dots with phosphorous δ-doped neighboring confinement structures
Sawano K.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
,
Nakama T.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
,
Mizutani K.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
,
Harada N.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
,
Xu X.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
,
Maruizumi T.
(Advanced Research Laboratories, Tokyo City University, 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku, Tokyo, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 477 ページ： 131-134 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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