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文献
J-GLOBAL ID：201702220164915010
整理番号：17A0375019
再版:非極性面上に成長させたウルツ鉱型GaN/AlN量子ドットの光学的性質:内部電場の還元における積層欠陥の影響【Powered by NICT】
Reprint of: Optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots grown on non-polar planes: The effect of stacking faults in the reduction of the internal electric field
Budagosky J.A.
(Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain)
,
Garro N.
(Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain)
,
Cros A.
(Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain)
,
Garcia-Cristobal A.
(Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain)
,
Founta S.
(CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France)
,
Daudin B.
(CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55 ページ： 90-94 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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