文献
J-GLOBAL ID:201702220168493317
整理番号:17A0375106
セレン源のためのSeO_2前駆体を用いたチオールキャップされたCdSe量子ドットの研究【Powered by NICT】
Study of thiol capped CdSe quantum dots using SeO2 precursor for selenium source
著者 (3件):
Khan Zubair M.S.H.
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India)
,
Khan Shamshad A.
(Department of Physics, St. Andrews College, Gorakhpur, UP 273001, India)
,
Zulfequar M.
(Department of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
57
ページ:
190-196
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)