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文献
J-GLOBAL ID：201702220192658166
整理番号：17A0740647
二層フォスフォレントランジスタに於けるショットキーバリア
Schottky Barriers in Bilayer Phosphorene Transistors
PAN Yuanyuan
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
DAN Yang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
WANG Yangyang
(China Acad. of Space Technol., Beijing, CHN)
,
YE Meng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Han
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
QUHE Ruge
(Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN)
,
ZHANG Xiuying
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LI Jingzhen
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
GUO Wanlin
(Key Lab. for Intelligent Nano Materials and Devices, Ministry of Education, Beijing, CHN)
,
YANG Li
(Washington Univ. in St. Louis, Missouri, USA)
,
LU Jing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LU Jing
(Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 14 ページ： 12694-12705 発行年： 2017年04月12日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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