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J-GLOBAL ID：201702220267737803 整理番号：17A1140050

AlGaN/GaN HEMT構造におけるドット形凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減の検討

著者 (7件)：

渡部拓巳

(東京工大)

久永真之佑

(東京工大)

星井拓也

(東京工大)

角嶋邦之

(東京工大)

若林整

(東京工大)

岩井洋

(東京工大)

筒井一生

(東京工大)

資料名：

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻： 78th ページ： ROMBUNNO.6p-PA8-18 発行年： 2017年08月25日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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