文献
J-GLOBAL ID:201702220421865677
整理番号:17A0475062
シリコンナノ結晶のドーピング【Powered by NICT】
Doping of silicon nanocrystals
著者 (3件):
Arduca Elisa
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via Olivetti 2, Agrate Brianza, Italy)
,
Arduca Elisa
(Universita degli studi di Milano, Via Celoria 16, 20133 Milano, Italy)
,
Perego Michele
(Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via Olivetti 2, Agrate Brianza, Italy)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
62
ページ:
156-170
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)