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J-GLOBAL ID：201702220463393134 整理番号：17A0698571

エネルギー応用のための代替としての異なる処理成長による炭化けい素薄膜【Powered by NICT】

Silicon carbide thin films with different processing growth as an alternative for energetic application

著者 (19件)：

Ouadfel A.M.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Ouadfel A.M.

(Faculte de Physique, Universite Houari Boumediene (USTHB), Bab ezzouar, Alger, Algeria)

,

Keffous A.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Kheloufi A.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Cheriet A.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Yaddaden C.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Gabouze N.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Kechouane M.

(Faculte de Physique, Universite Houari Boumediene (USTHB), Bab ezzouar, Alger, Algeria)

,

Belkacem Y.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Boukezzata A.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Kaci S.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Talbi L.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Ouadah Y.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Bozetine I.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Rezgui B.

(Laboratoire Photovoltaique, Centre des Recherches et des Technologies de l’Energie (CRTEn) B. P N°95 - 2050 Hammam Lif, Tunisia)

,

Guerbous L.

(Centre de Recherche Nucleare d’Alger (CRNA), Alger, Algeria)

,

Menari H.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Mahmoudi B.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

,

Menous I.

(Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)

資料名：

Optical Materials (Optical Materials)

巻： 65 ページ： 117-123 発行年： 2017年
JST資料番号： W0468A ISSN： 0925-3467 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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