文献
J-GLOBAL ID:201702220545439626
整理番号:17A0950442
ハイブリッドPN接合およびCMOSインバータ用の2次元MoTe2とInGaZnO薄膜材料の結合
Coupling Two-Dimensional MoTe2 and InGaZnO Thin-Film Materials for Hybrid PN Junction and CMOS Inverters
著者 (6件):
LEE Han Sol
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Kyunghee
(Electronics and Telecommunications Res. Inst.(ETRI), Daejeon, KOR)
,
KIM Jin Sung
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
YU Sanghyuck
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
KO Kyeong Rok
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
IM Seongil
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
18
ページ:
15592-15598
発行年:
2017年05月10日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)