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文献
J-GLOBAL ID：201702220582697466
整理番号：17A0955208
接合をもたない全周ゲート型多結晶シリコン薄膜トランジスタの温度およびドーピング濃度に依存する特性
Temperature- and doping-concentration-dependent characteristics of junctionless gate-all-around polycrystalline-silicon thin-film transistors
TSO Chia-Tsung
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIU Tung-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
PAN Fu-Ming
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
SHEU Jeng-Tzong
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 4S ページ： 04CD14.1-04CD14.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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