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文献
J-GLOBAL ID：201702220648692229
整理番号：17A1141910
CVD法によりブロック層を形成した縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの特性評価
岩瀧雅幸
(早稲田大 理工)
,
大井信敬
(早稲田大 理工)
,
工藤拓也
(早稲田大 理工)
,
牟田翼
(早稲田大 理工)
,
大久保智
(早稲田大 理工)
,
露崎活人
(早稲田大 理工)
,
蔭浦泰資
(早稲田大 理工)
,
稲葉優文
(早稲田大 理工)
,
稲葉優文
(名大 未来研)
,
平岩篤
(早稲田大 理工)
,
川原田洋
(早稲田大 理工)
,
川原田洋
(早大 材研)
資料名：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th ページ： ROMBUNNO.8a-S22-9 発行年： 2017年08月25日
JST資料番号： Y0055B ISSN： 2758-4704 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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