文献
J-GLOBAL ID:201702220655096182
整理番号:17A0650838
Si上の超薄エピタキシャルGaNヘテロ構造による圧電MEMS共振器
Piezoelectric MEMS resonators based on ultrathin epitaxial GaN heterostructures on Si
著者 (7件):
LECLAIRE P
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
LECLAIRE P
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
FRAYSSINET E
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
MORELLE C
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
CORDIER Y
(CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA)
,
THERON D
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
FAUCHER M
(IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名:
Journal of Micromechanics and Microengineering
(Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻:
26
号:
10
ページ:
105015,1-6
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
W1424A
ISSN:
0960-1317
CODEN:
JMMIEZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)