文献
J-GLOBAL ID:201702220668646796
整理番号:17A1430107
In_xGa_1N/GaNヘテロ構造の構築における分極と熱伝導率【Powered by NICT】
Built-in-polarization and thermal conductivity of InxGa1- N/GaN heterostructures
著者 (2件):
Gedam V.
(Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India)
,
Sahoo B.K.
(Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India)
資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
(Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻:
93
ページ:
63-69
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1066A
ISSN:
1386-9477
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)