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J-GLOBAL ID:201702220668646796   整理番号:17A1430107

In_xGa_1N/GaNヘテロ構造の構築における分極と熱伝導率【Powered by NICT】

Built-in-polarization and thermal conductivity of InxGa1- N/GaN heterostructures
著者 (2件):
Gedam V.
(Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India)
Sahoo B.K.
(Department of Physics, National Institute of Technology, Raipur 492010, Chhattisgarh, India)

資料名:
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)

巻: 93  ページ: 63-69  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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