文献
J-GLOBAL ID:201702220829336539
整理番号:17A0132881
キャリア平均自由行程の制約を考慮したビスマスナノワイヤの電気抵抗率とSeebeck係数の理論的考察
Theoretical modeling of electrical resistivity and Seebeck coefficient of bismuth nanowires by considering carrier mean free path limitation
著者 (5件):
Murata Masayuki
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Yamamoto Atsushi
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
,
Hasegawa Yasuhiro
(Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura, Saitama 338-8570, Japan)
,
Komine Takashi
(Ibaraki University, 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki 316-8511, Japan)
,
Endo Akira
(Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
121
号:
1
ページ:
014303-014303-10
発行年:
2017年01月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)