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文献
J-GLOBAL ID：201702220885746213
整理番号：17A0852230
低有効質量チャネル共通ダブルゲートMOSFETのための表面ポテンシャル方程式【Powered by NICT】
Surface Potential Equation for Low Effective Mass Channel Common Double-Gate MOSFET
Chakraborty Ananda Sankar
(Department of Electronic Systems Engineering, Nano-Scale Device Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
,
Mahapatra Santanu
(Department of Electronic Systems Engineering, Nano-Scale Device Research Laboratory, Indian Institute of Science, Bengaluru, India)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 4 ページ： 1519-1527 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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