文献
J-GLOBAL ID:201702221095514753
整理番号:17A1778508
3.3kV炭化ケイ素MOSFETのゲートインピーダンス特性化と性能評価【Powered by NICT】
Gate impedance characterization and performance evaluation of 3.3kV Silicon Carbide MOSFETs
著者 (5件):
Rogina Maria R.
(Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo, Campus de Viesques s/n, 33204 Gijo ́n, Spain)
,
Martin Kevin
(Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo, Campus de Viesques s/n, 33204 Gijo ́n, Spain)
,
Lopez Abraham
(Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo, Campus de Viesques s/n, 33204 Gijo ́n, Spain)
,
Rodriguez Alberto
(Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo, Campus de Viesques s/n, 33204 Gijo ́n, Spain)
,
Sebastian Javier
(Electronic Power Supply Systems Group, University of Oviedo, Campus de Viesques s/n, 33204 Gijo ́n, Spain)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
UPEC
ページ:
1-6
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)