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文献
J-GLOBAL ID：201702221267844099
整理番号：17A1421088
単一蒸発源を用いた非晶質SiでキャップされたBaSi_2薄膜の作製【Powered by NICT】
Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source
Hara Kosuke O.
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Trinh Cham Thi
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Kurokawa Yasuyoshi
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
,
Arimoto Keisuke
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Yamanaka Junji
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Nakagawa Kiyokazu
(Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan)
,
Usami Noritaka
(Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 636 ページ： 546-551 発行年： 2017年
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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