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J-GLOBAL ID：201702221298918791 整理番号：17A0953425

AlN中間層を有するm面N型ZnO/P型Siヘテロ接合からの発光

Light emission from an m-plane n-ZnO/p-Si heterojunction with an AlN interlayer

著者 (4件)：

CHEN Chao

(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)

WANG Ti

(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)

XU Yang

(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)

AI Zhiwei

(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)

資料名：

Applied Physics Express (Applied Physics Express)

巻： 10 号： 1 ページ： 011202.1-011202.4 発行年： 2017年01月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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