文献
J-GLOBAL ID:201702221335372997
整理番号:17A1645755
電力MOSFETにおけるシングルイベントアップセットのシミュレーション【Powered by NICT】
Simulation of single-event upset in power MOSFETs
著者 (2件):
Maiti C. K.
(Dept. of Electronics and Communication Engineering, Siksha `O’ Anusandhan University, Bhubaneswar, Odisha, India - 751030)
,
Dash T. P.
(Dept. of Electronics and Communication Engineering, Siksha `O’ Anusandhan University, Bhubaneswar, Odisha, India-751030)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
25-29
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)