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文献
J-GLOBAL ID：201702221374526051
整理番号：17A0057905
高k誘電体La_2O_3不動態化を用いたAlGaN/GaNH EMTの絶縁破壊電圧の改善【Powered by NICT】
The improvement of breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMT by using high-k dielectric La2O3 passivation
Mi MinHan
(Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Zhang Meng
(Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
He YunLong
(Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Ma XiaoHua
(Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
,
Hao Yue
(Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SSLChina: IFWS ページ： 113-115 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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