文献
J-GLOBAL ID:201702221378358815
整理番号:17A0754681
低温特性に適合したIII-V族太陽電池のための基質除去処理法【Powered by NICT】
A substrate removal processing method for III-V solar cells compatible with low-temperature characterization
著者 (6件):
Villa J.
(Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
,
Ramiro I.
(Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
,
Ripalda J.M.
(Instituto de microelectronica de Madrid, CNM (CSIC), C/Isaac Newton 8, PTM, 28760 Tres Cantos, Madrid, Spain)
,
Antolin E.
(Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
,
Garcia I.
(Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
,
Marti A.
(Instituto de Energia Solar, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
63
ページ:
58-63
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)