文献
J-GLOBAL ID:201702221675759043
整理番号:17A0955218
ナノスケールのフィンFETロジック技術におけるゲートコンタクト抵抗ランダムアクセスメモリ
Gate contact resistive random access memory in nano scaled FinFET logic technologies
著者 (5件):
HSU Meng-Yin
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
SHIH Yi-Hong
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHIH Yue-Der
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
,
LIN Chrong Jung
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
KING Ya-Chin
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
4S
ページ:
04CE05.1-04CE05.4
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)