文献
J-GLOBAL ID:201702221789508107
整理番号:17A1033497
負性微分抵抗を用いたBJT-MOSFET構造に基づくマイクロエレクトロニクス振動子の数学的モデル【Powered by NICT】
Mathematical model of the microelectronic oscillator based on the BJT-MOSFET structure with negative differential resistance
著者 (1件):
Semenov Andriy
(Dept. of Radio-Frequency Engineering, Vinnytsia National Technical University, Vinnytsia, Ukraine)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ELNANO
ページ:
146-151
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)