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文献
J-GLOBAL ID：201702221812707196
整理番号：17A0856372
高性能相変化メモリのためのリセスセル構造【Powered by NICT】
Recessed cell structure for high performance phase change memory
Xu Zhen
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Xu Zhen
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Liu Bo
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Liu Bo
(Suzhou University of Science and Technology, School of Chemical Biology and Materials Engineering, Suzhou 215009, Jiangsu Province, China)
,
Chen Yifeng
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Gao Dan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Gao Dan
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Wang Heng
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Wang Heng
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Song Zhitang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Zhan Yipeng
(Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 64 ページ： 143-146 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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