文献
J-GLOBAL ID:201702221890610492
整理番号:17A1919911
高性能EバンドSPDTスイッチの設計と0.13μm SiGe BiCMOS技術における低雑音増幅器(LNA)【Powered by NICT】
Design of high-performance E-band SPDT switch and LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology
著者 (5件):
Ahamed Raju
(Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland)
,
Varonen Mikko
(VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Espoo, Finland)
,
Parveg Dristy
(Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland)
,
Saijets Jan
(VTT Technical Research Centre of Finland Ltd, Espoo, Finland)
,
Halonen Kari A. I.
(Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, Finland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
NORCAS
ページ:
1-5
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)