文献
J-GLOBAL ID:201702221942351539
整理番号:17A0325105
低圧化学蒸着とその特性により作製した均一原子層MoS_2(1 x)Se_2x合金【Powered by NICT】
A homogeneous atomic layer MoS2(1-x)Se2x alloy prepared by low-pressure chemical vapor deposition, and its properties
著者 (5件):
Umrao Sima
(SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SSKU), Suwon 440-746, Korea. leesj@skku.edu)
,
Jeon Jaeho
,
Jeon Su Min
,
Choi Young Jin
,
Lee Sungjoo
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
2
ページ:
594-603
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)