文献
J-GLOBAL ID:201702222032504283
整理番号:17A1391431
相補型インバータ応用のための 730V Pチャネル垂直SiCパワーMOSFETのロバスト性能力の研究【Powered by NICT】
Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications
著者 (4件):
An Junjie
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Namai Masaki
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Yano Hiroshi
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
,
Iwamuro Noriyuki
(Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
10
ページ:
4219-4225
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)