前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702222292810602
整理番号：17A1550665
室温非真空プロセスによるp型SiとGaNの接触高仕事関数MoO_2とReO_2【Powered by NICT】
High work function MoO2 and ReO2 contacts for p-type Si and GaN by a room-temperature non-vacuum process
Lee Won-Jae
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea)
,
Parmar Narendra S.
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea)
,
Choi Ji-Won
(Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology (KIST), Seoul 02792, South Korea)
,
Choi Ji-Won
(Department of Nanomaterials Science and Engineering, Korea University of Science and Technology (UST), Daejeon 34113, South Korea)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71 ページ： 374-377 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。