文献
J-GLOBAL ID:201702222313531444
整理番号:17A0052443
各種SiO2厚みを持つLa2O3/SiO2/4H-SiC MOSキャパシタにおける漏れ電流メカニズムの検討
Investigation of Leakage Current Mechanisms in La2O3/SiO2/4H-SiC MOS Capacitors with Varied SiO2 Thickness
著者 (5件):
Wang Yucheng
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Jia Renxu
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhao Yanli
(Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou, China)
,
Li Chengzhan
(Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd., Zhuzhou, China)
,
Zhang Yuming
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
45
号:
11
ページ:
5600-5605
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)