文献
J-GLOBAL ID:201702222324156517
整理番号:17A1727277
GBレベル三次元が良い1S1R水平積層RRAMと垂直RRAMアレイを設計するための効率的なモデル【Powered by NICT】
Efficient models for designing GB-level 3-D 1S1R horizontal-stacked-RRAM and vertical-RRAM arrays
著者 (2件):
Song Lin
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China, 100084)
,
Zhang Jinyu
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China, 100084)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
137-140
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)