文献
J-GLOBAL ID:201702222363870092
整理番号:17A1047017
Sn2S3薄膜の物理的性質に及ぼすCoドーピングの影響
Effect of Co doping on the physical properties of Sn2S3 thin film
著者 (5件):
SAROJA A. Mary
(Bharathiyar Coll. of Engineering & Technol., Puducherry, IND)
,
PUNITHAVATHY I. Kartharinal
(TBML Coll., Tamilnadu, IND)
,
JEYAKUMAR S. Johnson
(TBML Coll., Tamilnadu, IND)
,
BALU A. R.
(AVVM Sri Pushpam Coll., Tamilnadu, IND)
,
GNANAMUTHU S. Joshua
(TBML Coll., Tamilnadu, IND)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
15
ページ:
11464-11472
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)