前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702222409906206
整理番号：17A0900435
PECVD成長シリコンナノワイヤの特性に及ぼすインジウム触媒厚みの影響に関する研究
Study of indium catalyst thickness effect on PECVD-grown silicon nanowires properties
YAACOUBI TABASSI M.
(Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN)
,
BENABDERRAHMANE ZAGHOUANI R.
(Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN)
,
KHELIL M.
(Univ. Gabes, Gabes, TUN)
,
KHIROUNI K.
(Univ. Gabes, Gabes, TUN)
,
DIMASSI W.
(Centre for Res. and Technol. Energy, Hammam-Lif, TUN)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28 号： 13 ページ： 9717-9723 発行年： 2017年07月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。