文献
J-GLOBAL ID:201702222430024315
整理番号:17A1254733
ACシミュレーションと測定に基づくFDSOI MOSFETしきい値電圧特性【Powered by NICT】
FDSOI MOSFET threshold voltage characterization based on AC simulation and measurements
著者 (5件):
Tomaszewski Daniel
(Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology, Instytut Technologii Elektronowej (ITE), Warsaw, Poland)
,
Gluszko Grzegorz
(Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology, Instytut Technologii Elektronowej (ITE), Warsaw, Poland)
,
Kucharski Krzysztof
(Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology, Instytut Technologii Elektronowej (ITE), Warsaw, Poland)
,
Malesinska Jolanta
(Division of Silicon Microsystem and Nanostructure Technology, Instytut Technologii Elektronowej (ITE), Warsaw, Poland)
,
Lukasiak Lidia
(Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology (WUT), Poland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
224-227
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)