文献
J-GLOBAL ID:201702222492171040
整理番号:17A1488527
量子閉じ込め効果を考慮した極薄二重ゲートオールアラウンド(DGAA)MOSFETのサブしきい値特性の解析的モデリング【Powered by NICT】
Analytical modeling of subthreshold characteristics of ultra-thin double gate-all-around (DGAA) MOSFETs incorporating quantum confinement effects
著者 (3件):
Kumar Arun
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India)
,
Bhushan Shiv
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India)
,
Tiwari Pramod Kumar
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Bihar, 801103, India)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
109
ページ:
567-578
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)