文献
J-GLOBAL ID:201702222593809090
整理番号:17A0343874
分子ビームエピタクシーによるInAsSbベース材料の高格子整合成長【Powered by NICT】
High Lattice Match Growth of InAsSb Based Materials by Molecular Beam Epitaxy
著者 (7件):
Ren Yang
(Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University)
,
Hao Ruiting
(Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University)
,
Liu Sijia
(Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University)
,
Guo Jie
(Institute of Solar Energy, Yunnan Normal University)
,
Wang Guowei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Xu Yingqiang
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Niu Zhichuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
33
号:
12
ページ:
128101-1-128101-5
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)