文献
J-GLOBAL ID:201702222691366570
整理番号:17A1149365
LSI一体集積のためのPbS QD/Si赤外フォトダイオードのためのZnO層の検討
Evaluation of ZnO layer of PbS QD/Silicon infrared Photodiode for LSI
著者 (9件):
肥後昭男
(東大 大規模集積システム設計教育研究セ)
,
WANG Haibin
(東大 先端科学技術研究セ)
,
久保貴哉
(東大 先端科学技術研究セ)
,
宇佐美尚人
(東大 大学院工学系研究科)
,
岡本有貴
(東大 大学院工学系研究科)
,
山田健太郎
(東大 大学院工学系研究科)
,
瀬川浩司
(東大 先端科学技術研究セ)
,
杉山正和
(東大 先端科学技術研究セ)
,
三田吉郎
(東大 大学院工学系研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
117
号:
172(ED2017 27-35)
ページ:
23-24
発行年:
2017年08月02日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)