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文献
J-GLOBAL ID：201702222702672814
整理番号：17A0976117
Mg_2Siの特異な電子構造:多中心結合を持つ半導体の伝導バンド【Powered by NICT】
The Unique Electronic Structure of Mg2Si: Shaping the Conduction Bands of Semiconductors with Multicenter Bonding
Mizoguchi Hiroshi
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Muraba Yoshinori
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Fredrickson Daniel C.
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Fredrickson Daniel C.
(Permanent address: Department of Chemistry, University of Wisconsin-Madison, 1101 University Avenue, Madison, WI, 53706, USA)
,
Matsuishi Satoru
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Kamiya Toshio
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Kamiya Toshio
(Laboratory for Materials Research, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Hosono Hideo
(Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
,
Hosono Hideo
(Laboratory for Materials Research, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama, 226-8503, Japan)
資料名：
Angewandte Chemie. International Edition
(Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 56 号： 34 ページ： 10135-10139 発行年： 2017年
JST資料番号： H0127B ISSN： 1433-7851 CODEN： ACIEAY 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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