文献
J-GLOBAL ID:201702222733470822
整理番号:17A1767437
InGaAsに基づくゲートオールアラウンド(GAA)無接合電界効果トランジスタ(JLFET)の設計最適化と解析
Design Optimization and Analysis of InGaAs-Based Gate-All-Around (GAA) Junctionless Field-Effect Transistor (JLFET)
著者 (4件):
SEO Jae Hwa
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
YOON Young Jun
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
LEE Jung-Hee
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
,
KANG In Man
(Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
11
ページ:
8350-8354
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)