文献
J-GLOBAL ID:201702222744352528
整理番号:17A1090404
EUVリソグラフィー用の単一露光パターン形成の開発
Single expose patterning development for EUV Lithography
著者 (17件):
DE SILVA Anuja
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
PETRILLO Karen
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
MELI Luciana
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
SHEARER Jeffrey C.
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
BEIQUE Genevieve
(GLOBALFOUNDRIES, New York)
,
SUN Lei
(GLOBALFOUNDRIES, New York)
,
SESHADRI Indira
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
OH Taehwan
(SAMSUNG, New York)
,
HAN Seulgi
(SAMSUNG, New York)
,
SAULNIER Nicole
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
LEE Joe
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
ARNOLD John C.
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
HAMIEH Bassem
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
FELIX Nelson M.
(IBM Semiconductor Technol. Res., New York)
,
FURUKAWA Tsuyoshi
(JSR Micro, CA)
,
SINGH Lovejeet
(JSR Micro, CA)
,
AYOTHI Ramakrishnan
(JSR Micro, CA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
10143
ページ:
101431G.1-101431G.9
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)