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文献
J-GLOBAL ID：201702222754478535
整理番号：17A0417621
IoT応用のためのサブ100μAの自己リフレッシュ電流23.3A4.8ピン2Gb LPDDR4SDRAM【Powered by NICT】
23.3 A 4.8Gb/s/pin 2Gb LPDDR4 SDRAM with sub-100μA self-refresh current for IoT applications
Kwak Nohhyup
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kim Saeng-Hwan
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Kyong Ha
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Baek Chang-Ki
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Jang Mun Seon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Joo Yongsuk
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Seung-Hun
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Woo Young
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Eunryeong
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Han Donghee
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kang Jaeyeol
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lim Jung Ho
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Park Jae-Beom
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Kim Kyung-Tae
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Cho Sunki
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Han Sung Woo
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Keh Jee Yeon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Chun Jun Hyun
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Oh Jonghoon
(SK hynix, Icheon, Korea)
,
Lee Seok Hee
(SK hynix, Icheon, Korea)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 392-393 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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