文献
J-GLOBAL ID:201702222806473333
整理番号:17A0204240
二重離散幾何学的方法によるプロセス変動に対するIC相互接続寄生容量の感度の計算【Powered by NICT】
Computation of sensitivities of IC interconnect parasitic capacitances to the process variation with dual discrete geometric methods
著者 (5件):
Gao Zhan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Ren Dan
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Yan Shuai
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Xu Xiaoyu
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Ren Zhuoxiang
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
8
ページ:
085003-1-085003-7
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)