文献
J-GLOBAL ID:201702222888229499
整理番号:17A0204220
3D NANDフラッシュメモリのための高効率な全PMOSチャージポンプ【Powered by NICT】
A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory
著者 (4件):
Fu Liyin
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Yu
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Qi
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
,
Huo Zongliang
(Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻:
37
号:
7
ページ:
075001-1-075001-6
発行年:
2016年
JST資料番号:
C2377A
ISSN:
1674-4926
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)