文献
J-GLOBAL ID:201702222909562006
整理番号:17A0544791
剥離によって製作した多層MoS2電界効果トランジスタにおけるホッピング伝導およびランダム電信信号
Hopping conduction and random telegraph signal in an exfoliated multilayer MoS2 field-effect transistor
著者 (4件):
LI Lijun
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE Inyeal
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
YOUN Doo-Hyeb
(Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
,
KIM Gil-Ho
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
28
号:
7
ページ:
075201,1-7
発行年:
2017年02月17日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)