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文献
J-GLOBAL ID：201702223124119668
整理番号：17A1819445
異なる方位のシリコンウエハ上に成長させた薄いゲルマニウムエピ層の断面透過型電子顕微鏡による研究の比較【Powered by NICT】
Comparison of cross-sectional transmission electron microscope studies of thin germanium epilayers grown on differently oriented silicon wafers
NORRIS D.J.
(Kroto Centre for High-Resolution Imaging and Analysis, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
MYRONOV M.
(Department of Physics, University of Warwick, Coventry, U.K.)
,
LEADLEY D.R.
(Department of Physics, University of Warwick, Coventry, U.K.)
,
WALTHER T.
(Kroto Centre for High-Resolution Imaging and Analysis, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名：
Journal of Microscopy
(Journal of Microscopy)
巻： 268 号： 3 ページ： 288-297 発行年： 2017年
JST資料番号： B0454B ISSN： 0022-2720 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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