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文献
J-GLOBAL ID：201702223212186268
整理番号：17A1802746
反応性イオンエッチング表面処理を用いた単結晶AlN基板上に成長したAlリッチn-AlGaNのオーミック接触の性能向上
Performance improvement of ohmic contacts on Al-rich n-AlGaN grown on single crystal AlN substrate using reactive ion etching surface treatment
SARKAR Biplab
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
HAIDET Brian B.
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
REDDY Pramod
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
REDDY Pramod
(Adroit Materials, NC, USA)
,
KIRSTE Ronny
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KIRSTE Ronny
(Adroit Materials, NC, USA)
,
COLLAZO Ramon
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SITAR Zlatko
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
SITAR Zlatko
(Adroit Materials, NC, USA)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 7 ページ： 071001.1-071001.3 発行年： 2017年07月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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