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文献
J-GLOBAL ID：201702223218986884
整理番号：17A0085360
nMOS In0.53Ga0.47Asのゲート金属としての多層TiNi合金の研究
Investigation of Multilayer TiNi Alloys as the Gate Metal for nMOS In0.53Ga0.47As
Do Huy Binh
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Luc Quang Ho
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Ha Minh Thien Huu
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Huynh Sa Hoang
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Hu Chenming Calvin
(Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
,
Lin Yueh Chin
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang Edward Yi
(Department of Materials Science and Engineering and the Department of Electronics Engineering, International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 12 ページ： 4714-4719 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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