文献
J-GLOBAL ID:201702223485703835
整理番号:17A0375113
改良されたゾル-ゲル法で作製したふっ素ドープ酸化すず膜の性質【Powered by NICT】
Properties of fluorine-doped tin oxide films prepared by an improved sol-gel process
著者 (2件):
Shi X.H.
(College of Materials Science and Engineering, Shandong University of Technology, No. 12, Zhangzhou Road, Zibo 255049, Shandong Province, PR China)
,
Xu K.J.
(College of Materials Science and Engineering, Shandong University of Technology, No. 12, Zhangzhou Road, Zibo 255049, Shandong Province, PR China)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
58
ページ:
1-7
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)