文献
J-GLOBAL ID:201702223535947834
整理番号:17A0822309
酸化物抵抗スイッチングメモリデバイスの単極性及び双極性スイッチングモード間の可逆変化に対する統一スイッチング機構
Unified switching mechanism for reversible change between unipolar and bipolar switching modes of oxide resistive switching memory devices
著者 (10件):
CHOI Sang-Jun
(Vault Creation, Seoul, KOR)
,
KIM Ki-Hong
(Samsung Electronics Co. Ltd., Suwon, KOR)
,
YANG Woo-Young
(Samsung Electronics Co. Ltd., Suwon, KOR)
,
KIM Sohyeon
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
OH Semi
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
KIM Kyoung-Kook
(Korea Polytechnic Univ., Siheung, KOR)
,
KIM Yunkyung
(Dong-A Univ., Busan, KOR)
,
HONG Minki
(Yonsei Univ., Wonju, KOR)
,
NAM Kiyoung
(Yonsei Univ., Wonju, KOR)
,
CHO Soohaeng
(Yonsei Univ., Wonju, KOR)
資料名:
Applied Physics. A. Materials Science & Processing
(Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻:
123
号:
5
ページ:
347.1-9
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
D0256C
ISSN:
0947-8396
CODEN:
APHYCC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)