文献
J-GLOBAL ID:201702223740056533
整理番号:17A1391419
溶液法で作製したSrO_xゲート酸化物薄膜トランジスタとインバータ【Powered by NICT】
Solution-Processed SrOx-Gated Oxide Thin-Film Transistors and Inverters
著者 (6件):
Fan Caixuan
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
,
Liu Ao
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
,
Meng You
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
,
Guo Zidong
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
,
Liu Guoxia
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
,
Shan Fukai
(College of Physics, Qingdao University, Qingdao, China)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
10
ページ:
4137-4143
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)