文献
J-GLOBAL ID:201702223785447536
整理番号:17A1943082
パワーMOSFET近傍の寄生結合とコモンモード電圧の関係
Relation between parasitic coupling around power MOSFET and excitation of common-mode voltage
著者 (4件):
松嶋徹
(京大 大学院工学研究科)
,
黒柳貴夫
(京大 大学院工学研究科)
,
久門尚史
(京大 大学院工学研究科)
,
和田修己
(京大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
117
号:
317(EMCJ2017 59-63)
ページ:
13-18
発行年:
2017年11月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)